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IXFE73N30Q

IXFE73N30Q

참조 용

부품 번호 IXFE73N30Q
PNEDA 부품 번호 IXFE73N30Q
설명 MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,104
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFE73N30Q 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFE73N30Q
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFE73N30Q, IXFE73N30Q 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 586.95 KB)
PDFIXFE73N30Q 데이터 시트 표지
IXFE73N30Q 데이터 시트 페이지 2

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IXFE73N30Q 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)66A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs46mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs190nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)400W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SOT-227B
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC

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250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

210W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3PN

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IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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시리즈

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FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

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제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

43A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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-

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