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IXDP35N60B

IXDP35N60B

참조 용

부품 번호 IXDP35N60B
PNEDA 부품 번호 IXDP35N60B
설명 IGBT 600V 60A 250W TO220AB
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,406
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDP35N60B 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDP35N60B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXDP35N60B, IXDP35N60B 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 188.77 KB)
PDFIXDP35N60B 데이터 시트 표지
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IXDP35N60B 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)70A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 35A
전력-최대250W
에너지 전환1.6mJ (on), 800µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건300V, 35A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

ISL9V2040D3S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

EcoSPARK®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 4V, 6A

전력-최대

130W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

12nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/3.64µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252AA

SGL60N90DG3YDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 60A

전력-최대

180W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

260nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

전력-최대

220W

에너지 전환

120µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

38nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/42ns

테스트 조건

300V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGWA40H65FB

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

HB

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

283W

에너지 전환

498µJ (on), 363µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/142ns

테스트 조건

400V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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