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IXDI404SIA

IXDI404SIA

참조 용

부품 번호 IXDI404SIA
PNEDA 부품 번호 IXDI404SIA
설명 IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,426
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDI404SIA 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDI404SIA
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDI404SIA, IXDI404SIA 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 291.92 KB)
PDFIXDI404SIA 데이터 시트 표지
IXDI404SIA 데이터 시트 페이지 2 IXDI404SIA 데이터 시트 페이지 3 IXDI404SIA 데이터 시트 페이지 4 IXDI404SIA 데이터 시트 페이지 5 IXDI404SIA 데이터 시트 페이지 6 IXDI404SIA 데이터 시트 페이지 7 IXDI404SIA 데이터 시트 페이지 8 IXDI404SIA 데이터 시트 페이지 9 IXDI404SIA 데이터 시트 페이지 10 IXDI404SIA 데이터 시트 페이지 11

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IXDI404SIA 사양

제조업체IXYS
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)4A, 4A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)16ns, 13ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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IXYS

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IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

600mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

650V

상승 / 하강 시간 (일반)

23ns, 22ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Microchip Technology

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구동 구성

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채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 30ns

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRS2334MTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

125ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-VFQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

28-MLPQ (5x5)

ISL6613ACR-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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MC33153DR2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

11V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1.2V, 3.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

17ns, 17ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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