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IXBT2N250

IXBT2N250

참조 용

부품 번호 IXBT2N250
PNEDA 부품 번호 IXBT2N250
설명 IGBT 2500V 5A 32W TO268
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,760
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXBT2N250 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXBT2N250
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IXBT2N250 사양

제조업체IXYS
시리즈BIMOSFET™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)2500V
전류-수집기 (Ic) (최대)5A
전류-수집기 펄스 (Icm)13A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 2A
전력-최대32W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지10.6nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)920ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지TO-268

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

전력-최대

160W

에너지 전환

730µJ (on), 1.66mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

94nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/200ns

테스트 조건

960V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

STGW30NC60VD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

250W

에너지 전환

220µJ (on), 330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/100ns

테스트 조건

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

44ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

FGPF15N60UNDF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

전력-최대

42W

에너지 전환

370µJ (on), 67µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

43nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9.3ns/54.8ns

테스트 조건

400V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

82.4ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

IGW03N120H2FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

9.6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

9.9A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

전력-최대

62.5W

에너지 전환

290µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

22nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9.2ns/281ns

테스트 조건

800V, 3A, 82Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

SGP6N60UFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

25A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 3A

전력-최대

30W

에너지 전환

57µJ (on), 25µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/60ns

테스트 조건

300V, 3A, 80Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

52ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

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MF-USMF050-2

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