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IS43R86400F-5TLI

IS43R86400F-5TLI

참조 용

부품 번호 IS43R86400F-5TLI
PNEDA 부품 번호 IS43R86400F-5TLI
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음 5,040
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예상 배송 7월 13 - 7월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS43R86400F-5TLI 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS43R86400F-5TLI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS43R86400F-5TLI, IS43R86400F-5TLI 데이터 시트 (총 페이지: 29, 크기: 848.93 KB)
PDFIS43R86400F-5BLI 데이터 시트 표지
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IS43R86400F-5TLI 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간700ps
전압-공급2.5V ~ 2.7V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지66-TSOP II

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메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (1M x 32, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

170ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

86-TSOP II

93LC46B/WF15K

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

M95M01-DFMN6TP

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

16MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

IDT71V67602S133BQGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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