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IS43R32800D-6BL-TR

IS43R32800D-6BL-TR

참조 용

부품 번호 IS43R32800D-6BL-TR
PNEDA 부품 번호 IS43R32800D-6BL-TR
설명 IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 3,528
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS43R32800D-6BL-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS43R32800D-6BL-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS43R32800D-6BL-TR, IS43R32800D-6BL-TR 데이터 시트 (총 페이지: 32, 크기: 1,016.92 KB)
PDFIS43R32800D-5BI 데이터 시트 표지
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IS43R32800D-6BL-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR
메모리 크기256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간700ps
전압-공급2.3V ~ 2.7V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스144-LFBGA
공급자 장치 패키지144-LFBGA (12x12)

관심을 가질만한 제품

24LC01BT-I/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

3500ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

25AA160/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

709289L7PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

MR0A08BCSO35R

Everspin Technologies Inc.

제조업체

Everspin Technologies Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

MRAM (Magnetoresistive RAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOIC

S29VS128RABBHW010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

VS-R

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

80ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-VFBGA

공급자 장치 패키지

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