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IS42RM16200C-75BLI

IS42RM16200C-75BLI

참조 용

부품 번호 IS42RM16200C-75BLI
PNEDA 부품 번호 IS42RM16200C-75BLI
설명 IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 2,250
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS42RM16200C-75BLI 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS42RM16200C-75BLI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS42RM16200C-75BLI, IS42RM16200C-75BLI 데이터 시트 (총 페이지: 33, 크기: 505.91 KB)
PDFIS42VM16200C-75BLI-TR 데이터 시트 표지
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  • IS42RM16200C-75BLI Distributor

IS42RM16200C-75BLI 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile
메모리 크기32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간6ns
전압-공급2.3V ~ 2.7V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TFBGA
공급자 장치 패키지54-TFBGA (8x8)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-VFBGA

공급자 장치 패키지

64-TFBGA (10.5x6.39)

IS61WV5128BLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.4V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

AT49LV001-90VC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

90ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-VSOP

71T75602S133PFG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

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MTFC32GAPALNA-AIT ES TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-TBGA

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100-TBGA (14x18)

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