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IRLZ34STRR

IRLZ34STRR

참조 용

부품 번호 IRLZ34STRR
PNEDA 부품 번호 IRLZ34STRR
설명 MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
제조업체 Vishay Siliconix
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IRLZ34STRR 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRLZ34STRR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRLZ34STRR, IRLZ34STRR 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 384.8 KB)
PDFIRLZ34STRR 데이터 시트 표지
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  • IRLZ34STRR Distributor

IRLZ34STRR 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 18A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs35nC @ 5V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1600pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.7W (Ta), 88W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A (Ta), 105A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

83nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5200pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 333W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (D²Pak)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

325A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

137nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10322pF @ 25V

FET 기능

Schottky Diode (Body)

전력 손실 (최대)

375W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK88 (SOT1235)

패키지 / 케이스

SOT-1235

NTHL095N65S3HF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

95mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 860µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2930pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

272W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

-

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 10A

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1403pF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

170W (Tc)

작동 온도

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-

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-

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.3nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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FET 기능

-

전력 손실 (최대)

187W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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