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IRL5602STRL

IRL5602STRL

참조 용

부품 번호 IRL5602STRL
PNEDA 부품 번호 IRL5602STRL
설명 MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
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IRL5602STRL 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRL5602STRL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRL5602STRL, IRL5602STRL 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 171.61 KB)
PDFIRL5602STRR 데이터 시트 표지
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IRL5602STRL 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs42mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs44nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1460pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)75W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

107nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4730pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5.4W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAK

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IRFS4310ZTRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6860pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF7807VTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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-

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

155nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9700pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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