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IRL3202L

IRL3202L

참조 용

부품 번호 IRL3202L
PNEDA 부품 번호 IRL3202L
설명 MOSFET N-CH 20V 48A TO-262
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 5,202
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IRL3202L 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRL3202L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRL3202L, IRL3202L 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 89.54 KB)
PDFIRL3202L 데이터 시트 표지
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  • IRL3202L Distributor

IRL3202L 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 7V
Rds On (최대) @ Id, Vgs16mOhm @ 29A, 7V
Vgs (th) (최대) @ Id700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs43nC @ 4.5V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2000pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)69W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-262-3
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

46A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

380nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8110pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

540W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

SUPER-247™ (TO-274AA)

패키지 / 케이스

TO-274AA

DMT6013LFDF-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1081pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

900mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

IRFB4212PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72.5mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

IRFC430

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

87A (Ta), 49A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2700pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta), 81W (Tc)

작동 온도

175°C

장착 유형

Surface Mount

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