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IRGS4B60KPBF

IRGS4B60KPBF

참조 용

부품 번호 IRGS4B60KPBF
PNEDA 부품 번호 IRGS4B60KPBF
설명 IGBT 600V D2PAK-3
제조업체 Infineon Technologies
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IRGS4B60KPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRGS4B60KPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRGS4B60KPBF, IRGS4B60KPBF 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 360.66 KB)
PDFIRGS4B60KPBF 데이터 시트 표지
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IRGS4B60KPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)12A
전류-수집기 펄스 (Icm)24A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 4A
전력-최대63W
에너지 전환73µJ (on), 47µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지12nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C22ns/100ns
테스트 조건400V, 4A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 15A

전력-최대

214W

에너지 전환

290µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/116ns

테스트 조건

400V, 15A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

317ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

230W

에너지 전환

430µJ (on), 350µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/80ns

테스트 조건

400V, 20A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

9A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

전력-최대

38W

에너지 전환

160µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11ns/51ns

테스트 조건

480V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

FGPF120N30TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 25A

전력-최대

60W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

112nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 30A

전력-최대

187W

에너지 전환

1.46mJ

입력 유형

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게이트 차지

167nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/254ns

테스트 조건

400V, 30A, 10.6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

143ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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