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IRG4RC10UD

IRG4RC10UD

참조 용

부품 번호 IRG4RC10UD
PNEDA 부품 번호 IRG4RC10UD
설명 IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,022
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4RC10UD 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4RC10UD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4RC10UD, IRG4RC10UD 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 194.07 KB)
PDFIRG4RC10UD 데이터 시트 표지
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  • IRG4RC10UD Distributor

IRG4RC10UD 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)8.5A
전류-수집기 펄스 (Icm)34A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 5A
전력-최대38W
에너지 전환140µJ (on), 120µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지15nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C40ns/87ns
테스트 조건480V, 5A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)28ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-Pak

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STMicroelectronics

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.95V @ 15V, 1.5A

전력-최대

18W

에너지 전환

19µJ (on), 12µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

12nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11ns/60ns

테스트 조건

400V, 1.5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

85ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

AIHD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

7.5A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 2.5A

전력-최대

53.6W

에너지 전환

50µJ (on), 40µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

17.1nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/128ns

테스트 조건

400V, 2.5A, 68Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-313

IRG4PC20U

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

전력-최대

60W

에너지 전환

100µJ (on), 120µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/86ns

테스트 조건

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전류-수집기 펄스 (Icm)

265A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 21A

전력-최대

357W

에너지 전환

3.43mJ (on), 430µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

188nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/200ns

테스트 조건

850V, 21A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

330ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXBH)

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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