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IRG4PSH71UD

IRG4PSH71UD

참조 용

부품 번호 IRG4PSH71UD
PNEDA 부품 번호 IRG4PSH71UD
설명 IGBT 1200V 99A 350W SUPER247
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $52.6991
100 ---------- $50.2289
250 ---------- $47.7586
500 ---------- $45.2883
750 ---------- $43.2298
1,000 ---------- $41.1712
재고 있음 2,021
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG4PSH71UD 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4PSH71UD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4PSH71UD, IRG4PSH71UD 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 325.79 KB)
PDFIRG4PSH71UD 데이터 시트 표지
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  • IRG4PSH71UD Distributor

IRG4PSH71UD 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)99A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 70A
전력-최대350W
에너지 전환8.8mJ (on), 9.4mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지380nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C46ns/250ns
테스트 조건960V, 70A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)110ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-274AA
공급자 장치 패키지SUPER-247™ (TO-274AA)

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Microsemi

제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

전력-최대

136W

에너지 전환

230µJ (on), 580µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9ns/140ns

테스트 조건

400V, 20A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

APT40GP60BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전력-최대

543W

에너지 전환

385µJ (on), 352µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/64ns

테스트 조건

400V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

전력-최대

350W

에너지 전환

3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/180ns

테스트 조건

960V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

전력-최대

430W

에너지 전환

15.5mJ (on), 4.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/238ns

테스트 조건

1500V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-268

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

192A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 48A

전력-최대

325W

에너지 전환

2.9mJ (on), 1.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

70ns/140ns

테스트 조건

400V, 48A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

170ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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