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IRFP460BPBF

IRFP460BPBF

참조 용

부품 번호 IRFP460BPBF
PNEDA 부품 번호 IRFP460BPBF
설명 MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
제조업체 Vishay Siliconix
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예상 배송 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRFP460BPBF 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFP460BPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRFP460BPBF, IRFP460BPBF 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 186.54 KB)
PDFSIHG460B-GE3 데이터 시트 표지
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IRFP460BPBF 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs250mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs170nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3094pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)278W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-247AC
패키지 / 케이스TO-247-3

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제조업체

STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±18V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

965pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

FDU3706

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.7A (Ta), 50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 16.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1882pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 44W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

DMT2004UFV-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.45V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

53.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1683pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8 (Type UX)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

DMP4047LFDE-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1382pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type E)

패키지 / 케이스

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IPA60R600CPXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 220µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

28W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-FP

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APHHS1005CGCK

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PMBT3904VS,115

PMBT3904VS,115

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IRFP150N

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ULN2003ADR2G

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