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IRF7521D1

IRF7521D1

참조 용

부품 번호 IRF7521D1
PNEDA 부품 번호 IRF7521D1
설명 MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8
제조업체 Infineon Technologies
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IRF7521D1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7521D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IRF7521D1, IRF7521D1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 177.92 KB)
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IRF7521D1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈FETKY™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds260pF @ 15V
FET 기능Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대)1.3W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지Micro8™
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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MOSFET (Metal Oxide)

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.1nC @ 10V

Vgs (최대)

20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

51A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.23W (Ta), 40W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Ta), 75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1315pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5.6W (Ta), 35.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

GA10SICP12-263

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 10A

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1403pF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

170W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 20V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

680pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

93W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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