IPZ60R060C7XKSA1
참조 용
| 부품 번호 | IPZ60R060C7XKSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPZ60R060C7XKSA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,220 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPZ60R060C7XKSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPZ60R060C7XKSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPZ60R060C7XKSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolMOS™ C7 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 15.9A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 800µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2850pF @ 400V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 162W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO247-4 |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-4 |
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 13mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 145nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4300pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 120W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 N-Channel 기술 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 65mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 600µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.91nC @ 5V Vgs (최대) +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 90pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 Die 패키지 / 케이스 Die |
