IPI35CN10N G
참조 용
| 부품 번호 | IPI35CN10N G |
| PNEDA 부품 번호 | IPI35CN10N-G |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,146 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 18 - 7월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPI35CN10N G 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPI35CN10N G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPI35CN10N G 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 27A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 27A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 29µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1570pF @ 50V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 58W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO262-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ H6 FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 24nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2615pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 60W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DPAK 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.4A (Ta), 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21.8nC @ 10V Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1308pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.28W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I-PAK 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A (Ta), 105A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 86nC @ 10V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3710pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.6W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A (Ta), 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 12mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4833pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.1W (Ta), 500W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.5A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 28nC @ 4.5V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2614pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 880mW (Ta), 48.4W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN, 5 Leads |
