IPG20N06S415ATMA2
참조 용
| 부품 번호 | IPG20N06S415ATMA2 |
| PNEDA 부품 번호 | IPG20N06S415ATMA2 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,930 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPG20N06S415ATMA2 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPG20N06S415ATMA2 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IPG20N06S415ATMA2 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 20µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2260pF @ 25V |
| 전력-최대 | 50W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TDSON-8-4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 29.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1022pF @ 15V 전력-최대 1.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 32.5mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.3nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 615pF @ 10V 전력-최대 1.15W (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-XFLGA 공급자 장치 패키지 4-EFLIP-LGA (1.11x1.11) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 246nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 11200pF @ 25V 전력-최대 694W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A Rds On (최대) @ Id, Vgs 240mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 600nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15200pF @ 25V 전력-최대 1250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 100A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id 1.6V @ 34mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 330nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8200pF @ 10V 전력-최대 520W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
