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IPF10N03LA

IPF10N03LA

참조 용

부품 번호 IPF10N03LA
PNEDA 부품 번호 IPF10N03LA
설명 MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
제조업체 Infineon Technologies
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IPF10N03LA 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPF10N03LA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IPF10N03LA, IPF10N03LA 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 539.19 KB)
PDFIPU10N03LA G 데이터 시트 표지
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  • IPF10N03LA Distributor

IPF10N03LA 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs10.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs11nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1358pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)52W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지P-TO252-3
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Vishay Siliconix

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TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5000pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

8.3W (Ta), 136W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RJL5020DPK-00#T0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

135mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4750pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

IRF3706

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

77A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2410pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

88W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

RD3H200SNFRATL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

45V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

20W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

66nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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