IPB049N08N5ATMA1
참조 용
| 부품 번호 | IPB049N08N5ATMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPB049N08N5ATMA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 80V TO263-3 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,100 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPB049N08N5ATMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPB049N08N5ATMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPB049N08N5ATMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 80V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.8V @ 66µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3770pF @ 40V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 125W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D²PAK (TO-263AB) |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 SuperMESH3™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 620V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 550pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 25W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I2PAKFP (TO-281) 패키지 / 케이스 TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 FDmesh™ II FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 160mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 80nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2400pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 160W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V, 16V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8mOhm @ 14A, 16V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 59nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2410pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 E FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.27Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 622pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 69W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 780pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
