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IKB20N60H3ATMA1

IKB20N60H3ATMA1

참조 용

부품 번호 IKB20N60H3ATMA1
PNEDA 부품 번호 IKB20N60H3ATMA1
설명 IGBT 600V 40A 170W TO263-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,780
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 18 - 7월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKB20N60H3ATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKB20N60H3ATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IKB20N60H3ATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop®
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 20A
전력-최대170W
에너지 전환690µJ
입력 유형Standard
게이트 차지120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C16ns/194ns
테스트 조건400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)112ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D²PAK (TO-263AB)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

전력-최대

274W

에너지 전환

1.23mJ (on), 550µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/127ns

테스트 조건

400V, 50A, 8.2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

IRGS4064DTRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.91V @ 15V, 10A

전력-최대

101W

에너지 전환

29µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/79ns

테스트 조건

400V, 10A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

62ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

STGWT80H65FB

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

전력-최대

469W

에너지 전환

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

414nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

84ns/280ns

테스트 조건

400V, 80A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

NGB15N41CLT4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

440V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 4V, 10A

전력-최대

107W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/4µs

테스트 조건

300V, 6.5A, 1kOhm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRGBC30FD2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 17A

전력-최대

100W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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