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HSMS-281F-TR2G

HSMS-281F-TR2G

참조 용

부품 번호 HSMS-281F-TR2G
PNEDA 부품 번호 HSMS-281F-TR2G
설명 RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT323
제조업체 Broadcom
단가 견적 요청
재고 있음 7,542
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 3 - 7월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HSMS-281F-TR2G 리소스

브랜드 Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HSMS-281F-TR2G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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HSMS-281F-TR2G 사양

제조업체Broadcom Limited
시리즈-
다이오드 유형Schottky - 1 Pair Common Cathode
전압-피크 역방향 (최대)20V
현재-최대1A
커패시턴스 @ Vr, F1.2pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F15Ohm @ 5mA, 1MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323

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전압-피크 역방향 (최대)

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200mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.2pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

500mW

작동 온도

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패키지 / 케이스

2-VDFN Exposed Pad

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시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

240mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323-3

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

150V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

PG-SOT143-4

QSMP-4891-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-피크 역방향 (최대)

-

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

HSMS-280P-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 2 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

35Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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