HIP2104FRAANZ-T
참조 용
| 부품 번호 | HIP2104FRAANZ-T |
| PNEDA 부품 번호 | HIP2104FRAANZ-T |
| 설명 | IC DRIVER HALF-BRIDGE 12-DFN |
| 제조업체 | Renesas Electronics America Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,704 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HIP2104FRAANZ-T 리소스
| 브랜드 | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HIP2104FRAANZ-T |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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HIP2104FRAANZ-T 사양
| 제조업체 | Renesas Electronics America Inc. |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Independent |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 4.5V ~ 14V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 1.63V, 2.06V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 1A, 1A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 60V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 8ns, 2ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 12-VFDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 12-DFN (4x4) |
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제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 7.5V 논리 전압-VIL, VIH 1.7V, 3.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 3.2A, 3.2A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 30V 상승 / 하강 시간 (일반) 5.3ns, 4.8ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 10-DFN (3x3) |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 4A, 4A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 7.5ns, 10ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 iMOTION™ 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 500V 상승 / 하강 시간 (일반) - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 11-SIP, 9 Leads 공급자 장치 패키지 11-SIP |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 7.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH 2.4V, 9.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 6A, 6A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 20ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-TDFN (3x3) |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 7.5ns, 10ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
