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HGT1S10N120BNS

HGT1S10N120BNS

참조 용

부품 번호 HGT1S10N120BNS
PNEDA 부품 번호 HGT1S10N120BNS
설명 IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 18 - 7월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGT1S10N120BNS 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGT1S10N120BNS
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGT1S10N120BNS, HGT1S10N120BNS 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 296.05 KB)
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HGT1S10N120BNS 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)35A
전류-수집기 펄스 (Icm)80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 10A
전력-최대298W
에너지 전환320µJ (on), 800µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C23ns/165ns
테스트 조건960V, 10A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IHW15N120R3FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 15A

전력-최대

254W

에너지 전환

700µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/300ns

테스트 조건

600V, 15A, 14.6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

STGP3NC120HD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

전력-최대

75W

에너지 전환

236µJ (on), 290µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/118ns

테스트 조건

800V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

51ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

APT68GA60LD40

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

121A

전류-수집기 펄스 (Icm)

202A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

520W

에너지 전환

715µJ (on), 607µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

198nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/133ns

테스트 조건

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

22ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 [L]

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

전력-최대

220W

에너지 전환

270µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

38nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/42ns

테스트 조건

300V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

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