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GWM70-01P2

GWM70-01P2

참조 용

부품 번호 GWM70-01P2
PNEDA 부품 번호 GWM70-01P2
설명 MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,344
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GWM70-01P2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GWM70-01P2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
GWM70-01P2, GWM70-01P2 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 100.18 KB)
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GWM70-01P2 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)70A
Rds On (최대) @ Id, Vgs14mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs110nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스ISOPLUS-DIL™
공급자 장치 패키지ISOPLUS-DIL™

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

610pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

BSL806NL6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

750mV @ 11µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.7nC @ 2.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

259pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

PG-TSOP-6-6

IRF7750TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

NX6020CAKSX

Nexperia

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V, 50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V, 7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.43nC @ 4.5V, 0.35nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17pF @ 10V, 36pF @ 25V

전력-최대

330mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.5nC @ 4.5V

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880mW

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