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GWM120-0075X1-SLSAM

GWM120-0075X1-SLSAM

참조 용

부품 번호 GWM120-0075X1-SLSAM
PNEDA 부품 번호 GWM120-0075X1-SLSAM
설명 MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GWM120-0075X1-SLSAM 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GWM120-0075X1-SLSAM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
GWM120-0075X1-SLSAM, GWM120-0075X1-SLSAM 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 629.8 KB)
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GWM120-0075X1-SLSAM 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)110A
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs115nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스17-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지ISOPLUS-DIL™

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68.6nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A, 1.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

260pF @ 15V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

BSG0813NDIATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A, 33A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 12V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 155°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Vgs (th) (최대) @ Id

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