GWM120-0075X1-SLSAM
참조 용
| 부품 번호 | GWM120-0075X1-SLSAM |
| PNEDA 부품 번호 | GWM120-0075X1-SLSAM |
| 설명 | MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,454 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 6 - 7월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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GWM120-0075X1-SLSAM 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | GWM120-0075X1-SLSAM |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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GWM120-0075X1-SLSAM 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 75V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 110A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 115nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 17-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | ISOPLUS-DIL™ |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.8A, 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 398pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
