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GWM100-0085X1-SMD SAM

GWM100-0085X1-SMD SAM

참조 용

부품 번호 GWM100-0085X1-SMD SAM
PNEDA 부품 번호 GWM100-0085X1-SMD-SAM
설명 MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GWM100-0085X1-SMD SAM 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GWM100-0085X1-SMD SAM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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GWM100-0085X1-SMD SAM 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)85V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)103A
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs114nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스17-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지ISOPLUS-DIL™

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40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta), 2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.6nC, 9.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

193pF, 450pF @ 20V

전력-최대

1.1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N-Channel

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-UFBGA, WLBGA

공급자 장치 패키지

U-WLB1010-4

FDMS7600AS

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ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A, 22A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1750pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

Power56

2N7002KDW-TP

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Micro Commercial Co

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

340mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

40pF @ 10V

전력-최대

150mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력-최대

150mW

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