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GMM3X60-015X2-SMDSAM

GMM3X60-015X2-SMDSAM

참조 용

부품 번호 GMM3X60-015X2-SMDSAM
PNEDA 부품 번호 GMM3X60-015X2-SMDSAM
설명 MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD
제조업체 IXYS
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GMM3X60-015X2-SMDSAM 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GMM3X60-015X2-SMDSAM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
GMM3X60-015X2-SMDSAM, GMM3X60-015X2-SMDSAM 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 293.45 KB)
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GMM3X60-015X2-SMDSAM 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs97nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5800pF @ 25V
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스ISOPLUS-DIL™
공급자 장치 패키지ISOPLUS-DIL™

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1790pF @ 20V

전력-최대

17.2W

작동 온도

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 15V

전력-최대

960mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3215pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.6A, 5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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