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GHIS080A060S-A2

GHIS080A060S-A2

참조 용

부품 번호 GHIS080A060S-A2
PNEDA 부품 번호 GHIS080A060S-A2
설명 IGBT BUCK CHOP 600V 160A SOT227
제조업체 Global Power Technologies Group
단가 견적 요청
재고 있음 8,352
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

GHIS080A060S-A2 리소스

브랜드 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호GHIS080A060S-A2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
GHIS080A060S-A2, GHIS080A060S-A2 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 1,308.1 KB)
PDFGHIS080A060S-A2 데이터 시트 표지
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GHIS080A060S-A2 사양

제조업체Global Power Technologies Group
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)160A
전력-최대380W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 80A
전류-수집기 차단 (최대)2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce5.44nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지SOT-227

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Infineon Technologies

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전력-최대

370W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Y4-M5

공급자 장치 패키지

Y4-M5

CM200DU-24NFH

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

830W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6.5V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

32nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

STG3P2M10N60B

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SEMITOP®

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

19A

전력-최대

56W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.72nF @ 25V

입력

Single Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SEMITOP®2

공급자 장치 패키지

SEMITOP®2

VS-40MT120UHAPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전력-최대

463W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.91V @ 15V, 80A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.28nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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