FS75R07N2E4B11BOSA1
참조 용
| 부품 번호 | FS75R07N2E4B11BOSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | FS75R07N2E4B11BOSA1 |
| 설명 | MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,400 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FS75R07N2E4B11BOSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FS75R07N2E4B11BOSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-모듈 |
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FS75R07N2E4B11BOSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | Trench Field Stop |
| 구성 | Three Phase Inverter |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 650V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 75A |
| 전력-최대 | 250W |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 75A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 1mA |
| 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce | 4.6nF @ 25V |
| 입력 | Standard |
| NTC 서미스터 | Yes |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급자 장치 패키지 | Module |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 * IGBT 유형 - 구성 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전력-최대 - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce - 입력 - NTC 서미스터 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - IGBT 유형 Trench 구성 Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 341A 전력-최대 1042W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.17V @ 15V, 300A (Typ) 전류-수집기 차단 (최대) 300µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 36nF @ 30V 입력 Standard NTC 서미스터 No 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Double INT-A-PAK (3 + 8) 공급자 장치 패키지 Double INT-A-PAK |
