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FS10R06VE3B2BOMA1

FS10R06VE3B2BOMA1

참조 용

부품 번호 FS10R06VE3B2BOMA1
PNEDA 부품 번호 FS10R06VE3B2BOMA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 10A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,148
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FS10R06VE3B2BOMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FS10R06VE3B2BOMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FS10R06VE3B2BOMA1, FS10R06VE3B2BOMA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 460.39 KB)
PDFFS10R06VE3B2BOMA1 데이터 시트 표지
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  • FS10R06VE3B2BOMA1 Distributor

FS10R06VE3B2BOMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)16A
전력-최대50W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce550pF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

430A

전력-최대

1150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

580A

전력-최대

2100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

750µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

29nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-3 Module

공급자 장치 패키지

D3

VS-GB100TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

833W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.58nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Double INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

Double INT-A-PAK

CM100DY-12H

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FD16001200R17HP4KB2BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1600A

전력-최대

1050W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 1600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

130nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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