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FQS4901TF

FQS4901TF

참조 용

부품 번호 FQS4901TF
PNEDA 부품 번호 FQS4901TF
설명 MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 93,228
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 9 - 7월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQS4901TF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQS4901TF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FQS4901TF, FQS4901TF 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 815.36 KB)
PDFFQS4901TF 데이터 시트 표지
FQS4901TF 데이터 시트 페이지 2 FQS4901TF 데이터 시트 페이지 3 FQS4901TF 데이터 시트 페이지 4 FQS4901TF 데이터 시트 페이지 5 FQS4901TF 데이터 시트 페이지 6 FQS4901TF 데이터 시트 페이지 7 FQS4901TF 데이터 시트 페이지 8 FQS4901TF 데이터 시트 페이지 9 FQS4901TF 데이터 시트 페이지 10

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FQS4901TF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)450mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.2Ohm @ 225mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds210pF @ 25V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

58nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2832pF @ 50V

전력-최대

187W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 8 x 8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 8 x 8 Dual

SI7270DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 15V

전력-최대

17.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

NTJD2152PT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

775mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

225pF @ 8V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

IRF5851TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A, 2.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 15V

전력-최대

960mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

NTTFS5C471NLTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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