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FQPF3N40

FQPF3N40

참조 용

부품 번호 FQPF3N40
PNEDA 부품 번호 FQPF3N40
설명 MOSFET N-CH 400V 1.6A TO-220F
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQPF3N40 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQPF3N40
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQPF3N40, FQPF3N40 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 710.61 KB)
PDFFQPF3N40 데이터 시트 표지
FQPF3N40 데이터 시트 페이지 2 FQPF3N40 데이터 시트 페이지 3 FQPF3N40 데이터 시트 페이지 4 FQPF3N40 데이터 시트 페이지 5 FQPF3N40 데이터 시트 페이지 6 FQPF3N40 데이터 시트 페이지 7 FQPF3N40 데이터 시트 페이지 8

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FQPF3N40 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.5nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds230pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)20W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220F
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

59nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7624pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RQ3E180AJTB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Ta), 30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 11mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4290pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 30W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-HSMT (3.2x3)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

HAT2267H-EL-E

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2150pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

DN2535N5-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

350V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

0V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25Ohm @ 120mA, 0V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 25V

FET 기능

Depletion Mode

전력 손실 (최대)

15W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

SCH1333-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.3nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-SCH

패키지 / 케이스

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