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FQPF2N30

FQPF2N30

참조 용

부품 번호 FQPF2N30
PNEDA 부품 번호 FQPF2N30
설명 MOSFET N-CH 300V 1.34A TO-220F
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQPF2N30 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQPF2N30
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQPF2N30, FQPF2N30 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 732.32 KB)
PDFFQPF2N30 데이터 시트 표지
FQPF2N30 데이터 시트 페이지 2 FQPF2N30 데이터 시트 페이지 3 FQPF2N30 데이터 시트 페이지 4 FQPF2N30 데이터 시트 페이지 5 FQPF2N30 데이터 시트 페이지 6 FQPF2N30 데이터 시트 페이지 7 FQPF2N30 데이터 시트 페이지 8

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  • FQPF2N30 Distributor

FQPF2N30 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.7Ohm @ 670mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds130pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)16W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220F
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

관심을 가질만한 제품

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

SPB80N06S2L-06

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 69A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 180µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5050pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3-2

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NP75P03YDG-E1-AY

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

141nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta), 138W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-HSON

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

ZXMN2F30FHQTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

452pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DMN60H4D5SK3-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

273.5pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

41W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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