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FQP9P25

FQP9P25

참조 용

부품 번호 FQP9P25
PNEDA 부품 번호 FQP9P25
설명 MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 12,498
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FQP9P25 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQP9P25
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQP9P25, FQP9P25 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 876.3 KB)
PDFFQP9P25 데이터 시트 표지
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FQP9P25 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs620mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs38nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1180pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)120W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3
패키지 / 케이스TO-220-3

관심을 가질만한 제품

IRLR014NPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.9nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

265pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

28W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTP8G206NG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

8V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 11A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±18V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 480V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

96W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

BSS223PW L6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

390mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 390mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1.5µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.62nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

56pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

BUZ73LHXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 3.5A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

840pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

IPP027N08N5AKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 154µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

123nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8970pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

214W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

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