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FQB17P10TM

FQB17P10TM

참조 용

부품 번호 FQB17P10TM
PNEDA 부품 번호 FQB17P10TM
설명 MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,022
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQB17P10TM 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQB17P10TM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQB17P10TM, FQB17P10TM 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 710.57 KB)
PDFFQB17P10TM 데이터 시트 표지
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FQB17P10TM 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs190mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs39nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1100pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.75W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

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P-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

112mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta), 15W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK/TP-FA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

APTM120DA30CT1G

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

31A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

560nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14560pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

657W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SP1

패키지 / 케이스

SP1

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

130A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 65A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5230pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

390W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263AA

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

R6025ANZC8

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

88nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3250pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

340mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

86pF @ 10V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

2W (Ta)

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