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FQA12P20

FQA12P20

참조 용

부품 번호 FQA12P20
PNEDA 부품 번호 FQA12P20
설명 MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3P
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,532
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQA12P20 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQA12P20
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQA12P20, FQA12P20 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 652.67 KB)
PDFFQA12P20 데이터 시트 표지
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FQA12P20 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs470mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs40nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1200pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)150W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-3P
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3

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FET 유형

P-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A (Ta), 85A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10290pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

7.3W (Ta), 156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

STD2NC45-1

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SuperMESH™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

450V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

160pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

30W (Tc)

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

STB6N60M2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ II Plus

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

232pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFH8325TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Ta), 82A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2487pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.6W (Ta), 54W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PQFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IPP50R350CPXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

550V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 370µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1020pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

89W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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