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FP75R12N2T4PBPSA1

FP75R12N2T4PBPSA1

참조 용

부품 번호 FP75R12N2T4PBPSA1
PNEDA 부품 번호 FP75R12N2T4PBPSA1
설명 LOW POWER ECONO
제조업체 Infineon Technologies
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FP75R12N2T4PBPSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FP75R12N2T4PBPSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • FP75R12N2T4PBPSA1 Distributor

FP75R12N2T4PBPSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력-
NTC 서미스터-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전력-최대

910W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전력-최대

500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1.1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

185A

전력-최대

650W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

IRG5W50HF06A

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

260W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

121A

전력-최대

462W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.29V @ 15V, 60A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.5nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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장착 유형

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