FMP76-01T
참조 용
| 부품 번호 | FMP76-01T |
| PNEDA 부품 번호 | FMP76-01T |
| 설명 | MOSFET N/P-CH |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,086 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FMP76-01T 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FMP76-01T |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FMP76-01T 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel, Common Drain |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 54A (Tc), 62A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 197nC @ 10V, 104nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V |
| 전력-최대 | 89W, 132W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | ISOPLUSi5-Pak™ |
| 공급자 장치 패키지 | ISOPLUS i4-PAC™ |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 800mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.6A (Tc), 9A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 677pF @ 10V, 744pF @ 10V 전력-최대 6.25W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-TDFN (2x2) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 50nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1286pF @ 10V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 Z-FET™ FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 423A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 300A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 15mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1025nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 11700pF @ 600V 전력-최대 1660W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module, Screw Terminals 공급자 장치 패키지 Module |
