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FGPF7N60LSDTU

FGPF7N60LSDTU

참조 용

부품 번호 FGPF7N60LSDTU
PNEDA 부품 번호 FGPF7N60LSDTU
설명 IGBT 600V 14A 45W TO220F
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 7,704
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예상 배송 6월 25 - 6월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGPF7N60LSDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGPF7N60LSDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGPF7N60LSDTU, FGPF7N60LSDTU 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 795.79 KB)
PDFFGPF7N60LSDTU 데이터 시트 표지
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FGPF7N60LSDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)14A
전류-수집기 펄스 (Icm)21A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 7A
전력-최대45W
에너지 전환270µJ (on), 3.8mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지24nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C120ns/410ns
테스트 조건300V, 7A, 470Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)65ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220F

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 45A

전력-최대

297.6W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

58ns/131ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247A

RJH1CF6RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

전력-최대

227.2W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IXRP15N120

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.95V @ 15V, 10A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.1mJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

36nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 10A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

300ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

HGT1S7N60A4DS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

전력-최대

125W

에너지 전환

55µJ (on), 60µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

37nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11ns/100ns

테스트 조건

390V, 7A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

FGA15N120ANTDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT and Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

전력-최대

186W

에너지 전환

3mJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/160ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

330ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

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