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FGP10N60UNDF

FGP10N60UNDF

참조 용

부품 번호 FGP10N60UNDF
PNEDA 부품 번호 FGP10N60UNDF
설명 IGBT 600V 20A 139W TO220-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 18,432
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGP10N60UNDF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGP10N60UNDF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGP10N60UNDF, FGP10N60UNDF 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 328.98 KB)
PDFFGP10N60UNDF 데이터 시트 표지
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FGP10N60UNDF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 10A
전력-최대139W
에너지 전환150µJ (on), 50µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지37nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C8ns/52.2ns
테스트 조건400V, 10A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)37.7ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220-3

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전력-최대

543W

에너지 전환

385µJ (on), 352µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/64ns

테스트 조건

400V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

NGTB20N120IHTG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

STGP100N30

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

전력-최대

250W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/134ns

테스트 조건

180V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

AIHD10N60RATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

210µJ (on), 380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/192ns

테스트 조건

400V, 10A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-313

APT36GA60BD15

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전류-수집기 펄스 (Icm)

109A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

307µJ (on), 254µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/122ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

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RB551V-30-TP

RB551V-30-TP

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0466005.NRHF

0466005.NRHF

Littelfuse

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