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FGB20N6S2D

FGB20N6S2D

참조 용

부품 번호 FGB20N6S2D
PNEDA 부품 번호 FGB20N6S2D
설명 IGBT 600V 28A 125W TO263AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,510
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGB20N6S2D 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGB20N6S2D
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGB20N6S2D, FGB20N6S2D 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 226.34 KB)
PDFFGP20N6S2D 데이터 시트 표지
FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 2 FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 3 FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 4 FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 5 FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 6 FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 7 FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 8 FGP20N6S2D 데이터 시트 페이지 9

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FGB20N6S2D 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)28A
전류-수집기 펄스 (Icm)40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 7A
전력-최대125W
에너지 전환25µJ (on), 58µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C7.7ns/87ns
테스트 조건390V, 7A, 25Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)31ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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IXYS

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

전력-최대

150W

에너지 전환

240µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/75ns

테스트 조건

480V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

210µJ (on), 380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/192ns

테스트 조건

400V, 10A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

FGB40N6S2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

115µJ (on), 195µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/35ns

테스트 조건

390V, 20A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

STGP8NC60K

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

전력-최대

65W

에너지 전환

55µJ (on), 85µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/72ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

제조업체

IXYS

시리즈

GenX4™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

290A

전류-수집기 펄스 (Icm)

800A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 160A

전력-최대

940W

에너지 전환

3.5mJ (on), 1.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

422nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

52ns/197ns

테스트 조건

400V, 80A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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