FGB20N6S2D
참조 용
| 부품 번호 | FGB20N6S2D |
| PNEDA 부품 번호 | FGB20N6S2D |
| 설명 | IGBT 600V 28A 125W TO263AB |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,510 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FGB20N6S2D 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FGB20N6S2D |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
| 데이터 시트 |
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FGB20N6S2D 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 600V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 28A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 40A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 7A |
| 전력-최대 | 125W |
| 에너지 전환 | 25µJ (on), 58µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 30nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 7.7ns/87ns |
| 테스트 조건 | 390V, 7A, 25Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | 31ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급자 장치 패키지 | TO-263AB |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 45A 전류-수집기 펄스 (Icm) - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 25A 전력-최대 200W 에너지 전환 - 입력 유형 Standard 게이트 차지 - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C - 테스트 조건 - 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247AC |
제조업체 IXYS 시리즈 GenX3™ IGBT 유형 PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전류-수집기 펄스 (Icm) 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 30A 전력-최대 300W 에너지 전환 3.47mJ (on), 2.16mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 87nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 16ns/127ns 테스트 조건 960V, 30A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 100ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지 TO-268 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 300V 전류-수집기 (Ic) (최대) 180A 전류-수집기 펄스 (Icm) 450A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 40A 전력-최대 480W 에너지 전환 - 입력 유형 Standard 게이트 차지 185nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C - 테스트 조건 - 역 복구 시간 (trr) 21ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지 TO-3P |
