FF8MR12W2M1B11BOMA1
참조 용
| 부품 번호 | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
| 설명 | MOSFET MODULE 1200V 150A |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,560 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 25 - 6월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FF8MR12W2M1B11BOMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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FF8MR12W2M1B11BOMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | CoolSiC™+ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 150A (Tj) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ) |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5.55V @ 60mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 372nC @ 15V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 11000pF @ 800V |
| 전력-최대 | 20mW (Tc) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급자 장치 패키지 | AG-EASY2BM-2 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 500mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 10V 전력-최대 300mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88 (SC-70-6) |
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