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FF11MR12W1M1B11BOMA1

FF11MR12W1M1B11BOMA1

참조 용

부품 번호 FF11MR12W1M1B11BOMA1
PNEDA 부품 번호 FF11MR12W1M1B11BOMA1
설명 MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
제조업체 Infineon Technologies
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FF11MR12W1M1B11BOMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FF11MR12W1M1B11BOMA1, FF11MR12W1M1B11BOMA1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 476.59 KB)
PDFFF11MR12W1M1B11BOMA1 데이터 시트 표지
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolSiC™+
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100A
Rds On (최대) @ Id, Vgs11mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id5.55V @ 40mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs250nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7950pF @ 800V
전력-최대-
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13pF @ 5V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

115mA, 130mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

200mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

DMN601DMK-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

510mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

304nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

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Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®, Zero Threshold™

FET 유형

4 P-Channel, Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®, Zero Threshold™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

10mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

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