FDV301N-NB9V005
참조 용
| 부품 번호 | FDV301N-NB9V005 |
| PNEDA 부품 번호 | FDV301N-NB9V005 |
| 설명 | MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,122 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDV301N-NB9V005 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDV301N-NB9V005 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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FDV301N-NB9V005 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 220mA (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.06V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | 8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 350mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23 |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 DTMOSIV FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 450mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 720pF @ 300V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 30W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220SIS 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 450mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.88nC @ 4.5V Vgs (최대) 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 55pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 100mW (Ta) 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-883VL 패키지 / 케이스 SC-101, SOT-883 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 430pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.13W (Ta), 75W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 19.8mOhm @ 10.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23nC @ 5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1380pF @ 6V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.5W (Ta), 19W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Single 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6 |
