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FDR858P

FDR858P

참조 용

부품 번호 FDR858P
PNEDA 부품 번호 FDR858P
설명 MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,302
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 21 - 7월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDR858P 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDR858P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDR858P, FDR858P 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 263.59 KB)
PDFFDR858P 데이터 시트 표지
FDR858P 데이터 시트 페이지 2 FDR858P 데이터 시트 페이지 3 FDR858P 데이터 시트 페이지 4 FDR858P 데이터 시트 페이지 5 FDR858P 데이터 시트 페이지 6 FDR858P 데이터 시트 페이지 7 FDR858P 데이터 시트 페이지 8

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FDR858P 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs19mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs30nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2010pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.8W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SuperSOT™-8
패키지 / 케이스8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

73nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5700pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.56W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SuperMESH3™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

620V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

70W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

SPP18P06PHXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

860pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

81.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

AUIRLZ44ZS

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

APTM100SK18TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

43A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

210mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

372nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

780W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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