Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

FDMT1D3N08B

FDMT1D3N08B

참조 용

부품 번호 FDMT1D3N08B
PNEDA 부품 번호 FDMT1D3N08B
설명 MOSFET N-CH 80V 164A 8-DUAL COOL
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,392
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 13 - 7월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMT1D3N08B 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMT1D3N08B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDMT1D3N08B, FDMT1D3N08B 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,609.36 KB)
PDFFDMT1D3N08B 데이터 시트 표지
FDMT1D3N08B 데이터 시트 페이지 2 FDMT1D3N08B 데이터 시트 페이지 3 FDMT1D3N08B 데이터 시트 페이지 4 FDMT1D3N08B 데이터 시트 페이지 5 FDMT1D3N08B 데이터 시트 페이지 6 FDMT1D3N08B 데이터 시트 페이지 7 FDMT1D3N08B 데이터 시트 페이지 8 FDMT1D3N08B 데이터 시트 페이지 9 FDMT1D3N08B 데이터 시트 페이지 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • FDMT1D3N08B Datasheet
  • where to find FDMT1D3N08B
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDMT1D3N08B
  • FDMT1D3N08B PDF Datasheet
  • FDMT1D3N08B Stock

  • FDMT1D3N08B Pinout
  • Datasheet FDMT1D3N08B
  • FDMT1D3N08B Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDMT1D3N08B Price
  • FDMT1D3N08B Distributor

FDMT1D3N08B 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)164A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.35mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs260nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds19600pF @ 40V
FET 기능-
전력 손실 (최대)178W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-Dual Cool™88
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

관심을 가질만한 제품

FQP12P20

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

470mOhm @ 5.75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

120W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

BSZ042N06NSATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Ta), 40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 36µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 69W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TSDSON-8-FL

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IRF9410

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

CSD25202W15T

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.05V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

-6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1010pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

9-DSBGA

패키지 / 케이스

9-UFBGA, DSBGA

SQM50034E_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (D²Pak)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

최근 판매

S29GL064N90DFI010

S29GL064N90DFI010

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA

EVQ-P7C01P

EVQ-P7C01P

Panasonic Electronic Components

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

AT24C256C-SSHL-B

AT24C256C-SSHL-B

Microchip Technology

IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SOIC

NJM2121M

NJM2121M

NJR Corporation/NJRC

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DMP

LT1963AEST-3.3#PBF

LT1963AEST-3.3#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 1.5A SOT223-3

AMT102-V

AMT102-V

CUI

ROTARY ENCODER INCREMENT PROGPPR

SMBJ36CA

SMBJ36CA

Littelfuse

TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA

MAX890LESA+T

MAX890LESA+T

Maxim Integrated

IC SW MOSFET PUR PCH HSIDE 8SOIC

HSMS-2820-TR1G

HSMS-2820-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3

CS240610

CS240610

Powerex Inc.

DIODE GP 600V 100A POWRBLOK

1N4004GP-E3/54

1N4004GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

S25FL208K0RMFI041

S25FL208K0RMFI041

Cypress Semiconductor

IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC