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FDMS7558S

FDMS7558S

참조 용

부품 번호 FDMS7558S
PNEDA 부품 번호 FDMS7558S
설명 MOSFET N-CH 25V 32A POWER56
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 27,216
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 5 - 7월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMS7558S 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMS7558S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDMS7558S, FDMS7558S 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 430.97 KB)
PDFFDMS7558S 데이터 시트 표지
FDMS7558S 데이터 시트 페이지 2 FDMS7558S 데이터 시트 페이지 3 FDMS7558S 데이터 시트 페이지 4 FDMS7558S 데이터 시트 페이지 5 FDMS7558S 데이터 시트 페이지 6 FDMS7558S 데이터 시트 페이지 7 FDMS7558S 데이터 시트 페이지 8 FDMS7558S 데이터 시트 페이지 9

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FDMS7558S 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)32A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.25mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs119nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7770pF @ 13V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-92-3

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

FDMC2512SDC

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Ta), 40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4410pF @ 13V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 66W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

Dual Cool ™ 33

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

PMV65UNER

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

73mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

291pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

490mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-236AB

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

ZVP2110ASTZ

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

230mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 375mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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Rohm Semiconductor

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-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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