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FDMS3668S

FDMS3668S

참조 용

부품 번호 FDMS3668S
PNEDA 부품 번호 FDMS3668S
설명 MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,380
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 27 - 7월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMS3668S 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMS3668S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDMS3668S, FDMS3668S 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 626.15 KB)
PDFFDMS3668S 데이터 시트 표지
FDMS3668S 데이터 시트 페이지 2 FDMS3668S 데이터 시트 페이지 3 FDMS3668S 데이터 시트 페이지 4 FDMS3668S 데이터 시트 페이지 5 FDMS3668S 데이터 시트 페이지 6 FDMS3668S 데이터 시트 페이지 7 FDMS3668S 데이터 시트 페이지 8 FDMS3668S 데이터 시트 페이지 9 FDMS3668S 데이터 시트 페이지 10 FDMS3668S 데이터 시트 페이지 11

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FDMS3668S 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13A, 18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1765pF @ 15V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지Power56

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시리즈

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

82.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

811pF @ 25V

전력-최대

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시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

396mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

43pF @ 10V

전력-최대

220mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SC-89-6

HUFA76413DK8T-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

49mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

620pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ZXMHC10A07N8TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

800mA, 680mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

138pF @ 60V

전력-최대

870mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

ALD114913SAL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12mA, 3mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 2.7V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.26V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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