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FDMS3615S

FDMS3615S

참조 용

부품 번호 FDMS3615S
PNEDA 부품 번호 FDMS3615S
설명 MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,228
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 10 - 7월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMS3615S 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMS3615S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDMS3615S, FDMS3615S 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 602.92 KB)
PDFFDMS3615S 데이터 시트 표지
FDMS3615S 데이터 시트 페이지 2 FDMS3615S 데이터 시트 페이지 3 FDMS3615S 데이터 시트 페이지 4 FDMS3615S 데이터 시트 페이지 5 FDMS3615S 데이터 시트 페이지 6 FDMS3615S 데이터 시트 페이지 7 FDMS3615S 데이터 시트 페이지 8 FDMS3615S 데이터 시트 페이지 9 FDMS3615S 데이터 시트 페이지 10 FDMS3615S 데이터 시트 페이지 11

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FDMS3615S 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16A, 18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1765pF @ 13V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지Power56

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1050pF @ 25V

전력-최대

48W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

485pF @ 15V, 807pF @ 15V

전력-최대

2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (3x3)

DMT10H017LPD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

54.7A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17.4mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1986pF @ 50V

전력-최대

2.2W (Ta), 78W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI5060-8

SI4532CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

47mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

305pF @ 15V

전력-최대

2.78W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A, 3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

365pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

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